Thermopile अवरक्त सेंसर के लिए NDIR CO2 गैस का पता लगाने TS418-1N426

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लीड समय::
मात्रा(Pieces) 1 - 1000 >1000
अनुमानित समय (दिन) 14 मोलभाव करने योग्य
रिपोर्ट संदिग्ध गतिविधि
अवलोकन
त्वरित विवरण
उत्पत्ति के प्लेस:
USA
मॉडल संख्या:
TS418-1N426
उपयोग:
गैस सेंसर
सिद्धांत:
NDIR
पैकेज:
करने के लिए-18
अवशोषक क्षेत्र:
1.4x1.4 mm2
वृद्धि समय:
22 ± 5 एमएस
परिवेश तापमान सेंसर:
नी-सेवानिवृत्त
आपूर्ति की क्षमता
आपूर्ति की क्षमता:
5000 Piece/Pieces per Month
Packaging & Delivery
सामान पैक करने का कार्य का विवरण
गत्ते का डिब्बा
बंदरगाह
HK
लीड समय: :
मात्रा(Pieces) 1 - 1000 >1000
अनुमानित समय (दिन) 14 मोल भाव करने के लिए

TS418-1N426Thermopile अवरक्त सेंसरएसपीईCIFICATIONS
• Thermopile आईआर-सेंसर
• फिल्टर के लिए NDIR CO2 गैस का पता लगाने
• एकल तत्व
• बहुत उच्च संकेत
• फ्लैट फिल्टर
• छोटे पैकेज
• सटीक संदर्भ सेंसर

TS418-1N426 Thermopile अवरक्त सेंसर देसCRIPTION
Thermopiles मुख्य रूप से कर रहे हैं के लिए इस्तेमाल किया contactless तापमान या गैर-फैलानेवाला अवरक्त माप कई अनुप्रयोगों में. उनके कार्य है करने के लिए गर्मी हस्तांतरण विकिरण वस्तुओं या अन्य से उत्सर्जित अवरक्त स्रोतों में एक वोल्टेज उत्पादन है।

TS418-1N426 Thermopile अवरक्त सेंसर FEATURES
• बहुत उच्च संकेत
• सटीक संदर्भ सेंसर
• 4.26 और माइक्रो; m संकीर्ण बैंड पास
• छोटे-18 करने के लिए पैकेज

TS418-1N426 Thermopile अवरक्त सेंसर APPLIफैटायनों
• NDIR CO2 गैस का पता लगाने

TS418-1N426 Thermopile अवरक्त सेंसर अटल बिहारीघुला हुआ पदार्थ अधिकतम रेटिंग

पैरामीटर

प्रतीक

न्यूनतम

ठेठ

अधिकतम

संयुक्त राष्ट्रयह

विवरण

भंडारण तापमान

टीएस

-20

+ 20

+ 85

°C

स्थायी

भंडारण तापमान

टीएस

-20

+ 20

+ 100

°C

गैर स्थायी


TS418-1N426 Thermopile अवरक्त सेंसर PERFORMANCE चश्मा

पैरामीटर

प्रतीक

मूल्य

इकाई

हालत

ऑपरेटिंग परिवेश तापमान

टीAmb

-20 + 85 करने के लिए

°C

स्थायी

ऑपरेटिंग परिवेश तापमान

टीAmb

-20 करने के लिए + 100

°C

गैर स्थायी

पैकेज

 

करने के लिए-18

 

 

अवशोषक क्षेत्र

एक

1.4x1.4

Mm2

 

Thermopile प्रतिरोध

आरटी. पी.

180 ± 60

टीAmb= + 25 °C

तापमान गुणांक

Thermopile के प्रतिरोध

TCRTP

-0.06 ± 0.04

%/K

टीAmb= + 25 °C करने के लिए + 75 °C

वोल्टेज प्रतिक्रियाVटी. पी.
निर्भरएस पर
प्रकाश स्रोत
एमवीटीAmb= + 25 °C, TObj = + 100 °C,
डीसी, पूरी तरह से भरा क्षेत्र की होड़

तापमान गुणांक

वोल्टेज की प्रतिक्रिया

TCVटी. पी.

-0.45 ± 0.08

%/K

टीAmb= + 25 °C करने के लिए + 75 °C

शोर बराबर वोल्टेज

NEV

130

NV/Hzऔर frac12;

टीAmb= + 25 °C

वृद्धि समय

टी63

22 ± 5

MS

 

परिवेश तापमान सेंसर

 

नी-सेवानिवृत्त

 

 

परिवेश तापमान सेंसर प्रतिरोध

आरनी-सेवानिवृत्त

1000 ± 4

Ω

टीAmb= 0 °C

नी-सेवानिवृत्त के तापमान गुणांक

टीसीनी-सेवानिवृत्त

6178 ± 150

पीपीएम/K

टीAmb= 0 °C करने के लिए + 100 °C

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