SI7938DP-T1-GE3 मॉसफेट ऐरे ट्रांजिस्टर FETs 2 एन-चैनल पावर MOSFET (मेटल ऑक्साइड) डुअल डुअल ड्रेन पावरपैक-SO-8 एन्हांसमेंट
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मुख्य विशेषताएं
मुख्य उद्योग विनिर्देश
मॉडल संख्या
SI7938DP-T1-GE3
प्रकार
MOSFET
ब्रांड नाम
original brand
पैकेज प्रकार
सतह माउंट
अधिक विशेषताएं
बढ़ते प्रकार
Surface Mount
विवरण
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
उत्पत्ति के प्लेस
original
पैकेज/मामले
PowerPAK SO-8 Dual
प्रकार
2 N-Channel
ऑपरेटिंग तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
श्रृंखला
TrenchFET
डी/सी
newest
आवेदन
सामान्य प्रयोजन
आपूर्तिकर्ता प्रकार
फुटकर बिक्री
पार संदर्भ
SI7938DP-T1-GE3CT
मीडिया उपलब्ध
Datasheet, फोटो, EDA के/सीएडी मॉडल
品名
transistors
वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
original standard
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
original standard
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
original standard
वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
original standard
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
original standard
शक्ति-मैक्स
46W
आवृत्ति-संक्रमण
original standard
ऑपरेटिंग तापमान
-55°C ~ 150°C(TJ)
बढ़ते प्रकार
सतह माउंट
रोकनेवाला-आधार (R1)
original standard
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
original standard
FET के प्रकार
N-Channel
FET के फ़ीचर
same as original
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
40 V
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
60A
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
5.8mOhm @ 18.5A 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
2.5V @ 250uA
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
65nC @ 10V
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
2300pF @ 20V
आवृत्ति
original standard
वर्तमान रेटिंग (Amps)
same as original
शोर आंकड़ा
original standard
शक्ति-उत्पादन
46W
वोल्टेज-रेटेड
original standard
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
same as original
वीजीएस (अधिकतम)
original standard
आईजीबीटी प्रकार
original standard
विन्यास
Dual Dual Drain
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
original standard
इनपुट समाई (Cies) @ Vce
same as original
इनपुट
original standard
एनटीसी Thermistor
same as original
वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
original standard
वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
same as original
वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
original standard
वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
same as original
प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
original standard
वोल्टेज
same as original
वोल्टेज-उत्पादन
original standard
वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
same as original
करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
original standard
वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
same as original
वर्तमान-पीक
original standard
आवेदन
general purpose
ट्रांजिस्टर प्रकार
2 N-Channel
SPQ
3k/reel
Forward Transconductance - Min:
105 S
Typical Turn-Off Delay Time:
40 ns
Typical Turn-On Delay Time:
25 ns
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
19 ns
Channel Mode:
Enhancement
Unit Weight:
0.017870 oz
Lead Shape
No Lead
Pin Count
8
पैकेजिंग और डिलीवरी
बिक्री की जाने वाली इकाइयां:
एकल आइटम
एकल पैकेज का आकार:
19X19X10 सेमी
एकल सकल वज़न:
1.000 किग्रा
लीड समय
| मात्रा (नग) | 1 - 3000 | > 3000 |
| अनुमानित समय (दिन) | 15 | मोल-भाव किया जाएगा |
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नमूने
ऑर्डर किए जाने वाले उत्पाद की अधिकतम संख्या: 1 नग
सैंपल की कीमत:
CN¥8.70/नग
अनुकूलन
Customized packaging
न्यून. ऑर्डर: 3000
कस्टमाइज़ेशन के अधिक विवरण के लिए, आपूर्तिकर्ता को संदेश भेजें
आपूर्तिकर्ता की ओर से उत्पाद के विवरण
>= 3000 नग
CN¥8.70
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