पावर MOSFET (तेजी डायोड के साथ) 30NM60ND STI30NM60N I2PAK

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Shenzhen Gintech Electronic Trade Co., Limited12 yrs

मुख्य विशेषताएं

मुख्य उद्योग विनिर्देश

मॉडल संख्या

STI30NM60N

ब्रांड नाम

पैकेज प्रकार

सोचा होल

अधिक विशेषताएं

उत्पत्ति के प्लेस

United States

पैकेज/मामले

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

品名

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

ऑपरेटिंग तापमान

150°C (TJ)

बढ़ते प्रकार

छेद के माध्यम से

FET के प्रकार

N-Channel

नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)

600V

वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C

25A (Tc)

पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

130mOhm @ 12.5A, 10V

वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी

4V @ 250µA

गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस

91nC @ 10V

इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds

2700pF @ 50V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

Electronics Description

Power MOSFET (with fast diode)

पैकेजिंग और डिलीवरी

सामान पैक करने का कार्य का विवरण

Sealed package, tube, reel

बंदरगाह

shenzhen

आपूर्ति की क्षमता

100 Piece/Pieces per Week

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आपूर्तिकर्ता की ओर से उत्पाद के विवरण

10 - 99 नग

₹68.10

>= 100 नग

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