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NTMFS4C022NT3G NTMFS4 Good Quality N-Channel 30 V 30A (Ta) 136A (Tc) 3.1W (Ta) 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

अभी तक कोई समीक्षा नहीं है
ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltdखुद का ब्रांड वाला आपूर्तिकर्ता15 yrsCN

मुख्य विशेषताएं

मुख्य उद्योग विनिर्देश

मॉडल संख्या
NTMFS4C022NT3G
प्रकार
MOSFET
ब्रांड नाम
original
पैकेज प्रकार
सतह माउंट

अधिक विशेषताएं

बढ़ते प्रकार
Surface Mount
विवरण
N-Channel 30 V 30A (Ta) 136A (Tc) 3.1W (Ta) 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
उत्पत्ति के प्लेस
original
पैकेज/मामले
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
प्रकार
MOS
ऑपरेटिंग तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
श्रृंखला
NTMFS4
डी/सी
new
आवेदन
-
पार संदर्भ
NTMFS4C022NT1G
मीडिया उपलब्ध
Datasheet
वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
-
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
-
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
-
वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
-
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
-
शक्ति-मैक्स
-
आवृत्ति-संक्रमण
-
ऑपरेटिंग तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
बढ़ते प्रकार
सतह माउंट
रोकनेवाला-आधार (R1)
-
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
-
FET के प्रकार
N-Channel
FET के फ़ीचर
-
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
30 V
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
30A (Ta) 136A (Tc)
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.7mOhm @ 30A 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
2.2V @ 0.25mA
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
45.2 nC @ 10 V
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
3071 pF @ 15 V
आवृत्ति
-
वर्तमान रेटिंग (Amps)
-
शोर आंकड़ा
-
शक्ति-उत्पादन
-
वोल्टेज-रेटेड
-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
4.5V 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
आईजीबीटी प्रकार
-
विन्यास
-
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
-
इनपुट समाई (Cies) @ Vce
-
इनपुट
-
एनटीसी Thermistor
-
वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
-
वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
-
वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
-
वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
-
प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
-
वोल्टेज
-
वोल्टेज-उत्पादन
-
वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
-
करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
-
वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
-
वर्तमान-पीक
-
आवेदन
-
ट्रांजिस्टर प्रकार
-
Brand
Original
Stocking time
3-5day
delivery address
shenzhen
Operating Temperature
N/A

लीड समय

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>= 1 नग
₹82.92

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