NOVA Original 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT Transistor FGH60N60 FGH60N60UFDTU FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD Electronic components

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd

खुद का ब्रांड वाला आपूर्तिकर्ता15 yrs

मुख्य विशेषताएं

मुख्य उद्योग विनिर्देश

मॉडल संख्या

FGH60N60

प्रकार

आईजीबीटी ट्रांजिस्टर

ब्रांड नाम

Original

पैकेज प्रकार

सोचा होल

अधिक विशेषताएं

बढ़ते प्रकार

Through Hole

विवरण

Transistor FGH60N60

उत्पत्ति के प्लेस

Original

पैकेज/मामले

TO-247-3

प्रकार

Discrete Semiconductor Products

ऑपरेटिंग तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

श्रृंखला

Transistors

डी/सी

New

आपूर्तिकर्ता प्रकार

Other

मीडिया उपलब्ध

Other

品名

FGH60N60

वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

120 A

वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)

600 V

Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

2.4V @ 15V, 60A

शक्ति-मैक्स

298 W

आवृत्ति-संक्रमण

ऑपरेटिंग तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

बढ़ते प्रकार

छेद के माध्यम से

Brand

Original

Stocking time

3-5day

delivery address

shenzhen

Gate Charge

188 nC

Td (on/off) @ 25°C

23ns/130ns

Test Condition

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47 ns

पैकेजिंग और डिलीवरी

सामान पैक करने का कार्य का विवरण

नई और मूल, कारखाना सील पैकिंग, यह एक में पैक हो जाएगा इन पैकिंग के प्रकार: ट्यूब, ट्रे, टेप और रील, टेप और बॉक्स, थोक पैकिंग, बैग और आदि अधिक जानकारी के लिए हमसे संपर्क कृपया है।

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