एन-चैनल पावर mosfet 10N60 ट्रांजिस्टर 20N60 30N60 40N60 50N60 60N60 कर रहे हैं करने के लिए-247 600v अधिक मॉडल उपलब्ध

Name: एन-चैनल पावर Mosfet 10n60 ट्रांजिस्टर 20n60 30n60 40n60 50n60 60n60 कर रहे हैं करने के लिए-247 600v अधिक मॉडल उपलब्ध - Buy Transistors 20n60c3 20n60c Mosfet,600v Mosfet 24n60m2 48n60m2,Mosfet 20n60c3 600 Volts N Channel Sd2 Product on Alibaba.com
Brand: Ali
SKU: 1600832496043

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मुख्य विशेषताएं

मुख्य उद्योग विनिर्देश

मॉडल संख्या

10N60 20N60 30N60 40N60 50N60 60N60

प्रकार

ट्रांजिस्टर

पैकेज प्रकार

सतह माउंट

अधिक विशेषताएं

विवरण

Mosfet ट्रांजिस्टर

उत्पत्ति के प्लेस

Guangdong, China

पैकेज/मामले

डी/सी

2SC1815

आवेदन

बिजली के उपकरण सर्किट बोर्ड

आपूर्तिकर्ता प्रकार

मूल निर्माता

मीडिया उपलब्ध

अन्य

品名

वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)

Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce

शक्ति-मैक्स

आवृत्ति-संक्रमण

ऑपरेटिंग तापमान

बढ़ते प्रकार

रोकनेवाला-आधार (R1)

रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)

FET के प्रकार

FET के फ़ीचर

नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)

वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C

पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी

गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds

आवृत्ति

वर्तमान रेटिंग (Amps)

शोर आंकड़ा

शक्ति-उत्पादन

वोल्टेज-रेटेड

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)

वीजीएस (अधिकतम)

आईजीबीटी प्रकार

Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी

इनपुट समाई (Cies) @ Vce

इनपुट

एनटीसी Thermistor

वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)

वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)

वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स

वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी

प्रतिरोध-आरडीएस (पर)

वोल्टेज

वोल्टेज-उत्पादन

वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)

करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)

वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)

वर्तमान-पीक

आवेदन

पैकेजिंग और डिलीवरी

बंदरगाह

shenzhen

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