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      FLX107MH-12 माइक्रोवेव ट्रांजिस्टर X, केयू बैंड पावर GaAs FET के

      अभी तक कोई समीक्षा नहीं है
      Shenzhen H-Tec Network Technology Co., Ltd.8 yrsCN
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      मुख्य विशेषताएं

      मुख्य उद्योग विनिर्देश

      मॉडल संख्या
      FLX107MH-12
      प्रकार
      आरएफ ट्रांजिस्टर
      ब्रांड नाम
      original
      पैकेज प्रकार
      सतह माउंट

      अधिक विशेषताएं

      विवरण
      transistor
      उत्पत्ति के प्लेस
      Japan
      पैकेज/मामले
      standard
      डी/सी
      latest
      आवेदन
      उच्च आवृत्ति
      आपूर्तिकर्ता प्रकार
      एजेंसी, फुटकर बिक्री
      मीडिया उपलब्ध
      Datasheet
      品名
      RF power transistor
      वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
      standard
      वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
      standard
      Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
      standard
      वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
      standard
      डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
      standard
      शक्ति-मैक्स
      standard
      आवृत्ति-संक्रमण
      standard
      ऑपरेटिंग तापमान
      standard
      बढ़ते प्रकार
      सतह माउंट
      रोकनेवाला-आधार (R1)
      standard
      रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
      standard
      FET के प्रकार
      standard
      FET के फ़ीचर
      तर्क स्तर गेट, 1.5V ड्राइव
      नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
      standard
      वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
      standard
      पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
      standard
      वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
      standard
      गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
      standard
      इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
      standard
      आवृत्ति
      standard
      वर्तमान रेटिंग (Amps)
      standard
      शोर आंकड़ा
      standard
      शक्ति-उत्पादन
      standard
      वोल्टेज-रेटेड
      standard
      ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
      standard
      वीजीएस (अधिकतम)
      standard
      आईजीबीटी प्रकार
      standard
      विन्यास
      तीन चरण
      Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
      standard
      इनपुट समाई (Cies) @ Vce
      standard
      इनपुट
      standard
      एनटीसी Thermistor
      standard
      वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
      standard
      वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
      standard
      वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
      standard
      वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
      standard
      प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
      standard
      वोल्टेज
      standard
      वोल्टेज-उत्पादन
      standard
      वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
      standard
      करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
      standard
      वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
      standard
      वर्तमान-पीक
      standard
      आवेदन
      PCB
      Type 1
      transistor FLX107MH-12
      Type 2
      power transistor FLX107MH-12
      Type 3
      mosfet FLX107MH-12
      Type 4
      FET FLX107MH-12
      Type 5
      RF power transistor FLX107MH-12
      Type 6
      microwave transistor FLX107MH-12
      Type 7
      Field Effect Transistor FLX107MH-12
      Type 8
      RF transistor FLX107MH-12
      condition
      original and new FLX107MH-12
      Rohs
      yes
      अधिक दिखाएं

      लीड समय

      मात्रा (नग)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
      अनुमानित समय (दिन)357मोल-भाव किया जाएगा

      अनुकूलन

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      Customized packaging
      न्यून. ऑर्डर: 10
      Graphic customization
      न्यून. ऑर्डर: 10
      कस्टमाइज़ेशन के अधिक विवरण के लिए, आपूर्तिकर्ता को संदेश भेजें

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