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      DMP2008UFG-7 पी-चैनल ट्रांजिस्टर 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) सरफेस माउंट पावर ट्रांजिस्टर

      अभी तक कोई समीक्षा नहीं है
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      मुख्य विशेषताएं

      मुख्य उद्योग विनिर्देश

      मॉडल संख्या
      DMP2008UFG-7
      प्रकार
      MOSFET
      ब्रांड नाम
      Original Brand
      पैकेज प्रकार
      8-PowerVDFN

      अधिक विशेषताएं

      बढ़ते प्रकार
      Surface Mount
      विवरण
      MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
      उत्पत्ति के प्लेस
      Original
      पैकेज/मामले
      8-PowerVDFN
      प्रकार
      P-Channel
      ऑपरेटिंग तापमान
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      श्रृंखला
      Single FETs / MOSFETs
      डी/सी
      Newest
      आवेदन
      सामान्य प्रयोजन
      आपूर्तिकर्ता प्रकार
      फुटकर बिक्री
      पार संदर्भ
      DMP2008UFG-7DICT
      मीडिया उपलब्ध
      Datasheet, फोटो, EDA के/सीएडी मॉडल
      品名
      Transistors
      वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
      14A(Ta) & 54A(Tc)
      वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
      20 V
      Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
      Original Standard
      वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
      Original Standard
      डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
      Original Standard
      शक्ति-मैक्स
      2.4W(Ta) & 41W(Tc)
      आवृत्ति-संक्रमण
      Original Standard
      ऑपरेटिंग तापमान
      -55°C ~ 150°C(TJ)
      बढ़ते प्रकार
      सतह माउंट
      रोकनेवाला-आधार (R1)
      Original
      रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
      Original
      FET के प्रकार
      P-Channel
      FET के फ़ीचर
      -
      नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
      20 V
      वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
      14A(Ta) & 54A(Tc)
      पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
      8mOhm @ 12A, 4.5V
      वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
      1V @ 250uA
      गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
      72 nC @ 4.5 V
      इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
      6909 pF @ 10 V
      आवृत्ति
      Original Standard
      वर्तमान रेटिंग (Amps)
      Original Standard
      शोर आंकड़ा
      Original Standard
      शक्ति-उत्पादन
      2.4W(Ta),41W(Tc)
      वोल्टेज-रेटेड
      20 V
      ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
      1.5V,4.5V
      वीजीएस (अधिकतम)
      ±8V
      आईजीबीटी प्रकार
      Original
      विन्यास
      एकल
      Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
      Original
      इनपुट समाई (Cies) @ Vce
      Original
      इनपुट
      Original
      एनटीसी Thermistor
      Original
      वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
      20 V
      वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
      14A(Ta),54A(Tc)
      वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
      14A(Ta),54A(Tc)
      वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
      20 V
      प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
      Original
      वोल्टेज
      20 V
      वोल्टेज-उत्पादन
      20 V
      वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
      20 V
      करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
      14A(Ta),54A(Tc)
      वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
      14A(Ta),54A(Tc)
      वर्तमान-पीक
      14A(Ta),54A(Tc)
      आवेदन
      General Purpose
      ट्रांजिस्टर प्रकार
      P-Channel
      Vgs(th) (Max) @ Id
      1V @ 250uA
      Standard Package
      2000/Reel
      Technology
      MOSFET (Metal Oxide)
      Rise Time
      33 ns
      Fall Time
      124 ns
      Forward Transconductance - Min
      42 S
      Pin Count
      8
      Lead Shape
      No Lead
      RoHS Status
      ROHS3 Compliant
      Moisture Sensitivity Level (MSL)
      1 (Unlimited)

      पैकेजिंग और डिलीवरी

      बिक्री की जाने वाली इकाइयां:
      एकल आइटम
      एकल पैकेज का आकार:
      19X19X10 सेमी
      एकल सकल वज़न:
      1.000 किग्रा
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      1 - 1999 नग
      $2.50
      >= 2000 नग
      $1.50

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