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अनुकूलित आकार 2 ~ 12 इंच एन-प्रकार प्रधानमंत्री ग्रेड एकल क्रिस्टल गैलियम Arsenide GaAs वेफर
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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.
3 yrs
CN
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मुख्य विशेषताएं
अधिक विशेषताएं
उत्पत्ति के प्लेस
Shanghai
ब्रांड नाम
Xinkehui
मॉडल संख्या
customized
प्रकार
GaAs वेफर
Doped
p-type: Zn/n-type: Si
Surface Orientation
(100)±0.5°
Growth Method
Growth Method
Wafer Shape
round customized size
Thickness
350±25/625±25 um or customized
TTV [P/P]
≤ 4 um
TTV [P/E]
≤ 10 um
WARP
≤ 10 um
पैकेजिंग और डिलीवरी
सामान पैक करने का कार्य का विवरण
100 grade cleaning bag
बंदरगाह
Shanghai
आपूर्ति की क्षमता
आपूर्ति की क्षमता
10000 Piece/Pieces per Week
अधिक दिखाएं
लीड समय
मात्रा (नग)
1 - 1000
> 1000
अनुमानित समय (दिन)
15
मोल-भाव किया जाएगा
अनुकूलन
Customized logo
न्यून. ऑर्डर: 100
Customized packaging
न्यून. ऑर्डर: 100
Graphic customization
न्यून. ऑर्डर: 100
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आपूर्तिकर्ता को संदेश भेजें
आपूर्तिकर्ता की ओर से उत्पाद के विवरण
1 - 9 नग
$285.00
>= 10 नग
$128.00
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