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      उच्च गुणवत्ता राज्यमंत्री Transisotor MOSFET के एन-सीएच 600 V 22A FCP22N60N करने वाली

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.कई विशेष चीज़ों वाला आपूर्तिकर्ता9 yrsCN
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      मुख्य विशेषताएं

      मुख्य उद्योग विनिर्देश

      मॉडल संख्या
      FCP22N60N
      प्रकार
      Transistor
      ब्रांड नाम
      Original Brand
      पैकेज प्रकार
      सोचा होल

      अधिक विशेषताएं

      उत्पत्ति के प्लेस
      Johor, Malaysia
      पैकेज/मामले
      TO-220-3
      डी/सी
      -
      आवेदन
      -
      आपूर्तिकर्ता प्रकार
      मूल निर्माता, ODM, एजेंसी, फुटकर बिक्री
      पार संदर्भ
      -
      मीडिया उपलब्ध
      Datasheet, फोटो
      品名
      MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
      वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
      -
      वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
      -
      Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
      -
      वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
      -
      डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
      -
      शक्ति-मैक्स
      -
      आवृत्ति-संक्रमण
      -
      ऑपरेटिंग तापमान
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      बढ़ते प्रकार
      छेद के माध्यम से
      रोकनेवाला-आधार (R1)
      -
      रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
      -
      FET के प्रकार
      N-Channel
      FET के फ़ीचर
      -
      नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
      600V
      वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
      22A (Tc)
      पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
      165mOhm @ 11A, 10V
      वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
      4V @ 250uA
      गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
      45nC @ 10V
      इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
      1950pF @ 100V
      आवृत्ति
      -
      वर्तमान रेटिंग (Amps)
      -
      शोर आंकड़ा
      -
      शक्ति-उत्पादन
      -
      वोल्टेज-रेटेड
      -
      ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
      10V
      वीजीएस (अधिकतम)
      ±45V
      आईजीबीटी प्रकार
      -
      विन्यास
      -
      Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
      -
      इनपुट समाई (Cies) @ Vce
      -
      इनपुट
      -
      एनटीसी Thermistor
      -
      वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
      -
      वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
      -
      वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
      -
      वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
      -
      प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
      -
      वोल्टेज
      -
      वोल्टेज-उत्पादन
      -
      वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
      -
      करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
      -
      वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
      -
      वर्तमान-पीक
      -
      आवेदन
      -
      Part Number
      FCP22N60N
      Description
      MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
      FET Type
      N-Channel
      Drain to Source Voltage
      600V
      Current @ 25°C
      22A (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      Gate Charge @ Vgs
      45nC @ 10V
      Input Capacitance @ Vds
      4V @ 250uA
      Power Dissipation (Max)
      205W (Tc)
      Supplier Device Package
      TO-220-3

      पैकेजिंग और डिलीवरी

      सामान पैक करने का कार्य का विवरण
      Tube
      बंदरगाह
      Hongkong / Shenzhen

      आपूर्ति की क्षमता

      आपूर्ति की क्षमता
      88000 Piece/Pieces per Day Standar पैकिंग
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      लीड समय

      मात्रा (नग)1 - 100000 > 100000
      अनुमानित समय (दिन)2मोल-भाव किया जाएगा

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