स्टॉक में MJD5731T4G द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (BJT) 1A 350V 15W PNP MJD5731T4G

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Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.

कई विशेष चीज़ों वाला आपूर्तिकर्ता15 yrs

CN

मुख्य विशेषताएं

मुख्य उद्योग विनिर्देश

मॉडल संख्या

MJD5731T4G

प्रकार

MOSFET

ब्रांड नाम

Original manufacturer

पैकेज प्रकार

सतह माउंट

अधिक विशेषताएं

बढ़ते प्रकार

Surface Mount

विवरण

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उत्पत्ति के प्लेस

Taiwan, China

पैकेज/मामले

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प्रकार

MOSFET

ऑपरेटिंग तापमान

-55°C - 150°C

श्रृंखला

MJD5731

डी/सी

New Date code

आवेदन

MOSFET के ड्राइवर

आपूर्तिकर्ता प्रकार

Other

पार संदर्भ

-

मीडिया उपलब्ध

Other

品名

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वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

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वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)

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Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

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वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

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डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce

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शक्ति-मैक्स

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आवृत्ति-संक्रमण

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ऑपरेटिंग तापमान

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बढ़ते प्रकार

सतह माउंट

रोकनेवाला-आधार (R1)

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रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)

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FET के प्रकार

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FET के फ़ीचर

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नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)

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वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C

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पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

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वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी

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गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस

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इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds

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आवृत्ति

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वर्तमान रेटिंग (Amps)

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शोर आंकड़ा

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शक्ति-उत्पादन

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वोल्टेज-रेटेड

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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)

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वीजीएस (अधिकतम)

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आईजीबीटी प्रकार

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Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी

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इनपुट समाई (Cies) @ Vce

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इनपुट

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एनटीसी Thermistor

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वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)

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वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)

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वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स

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वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी

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प्रतिरोध-आरडीएस (पर)

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वोल्टेज

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वोल्टेज-उत्पादन

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वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)

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करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)

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वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)

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वर्तमान-पीक

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आवेदन

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ट्रांजिस्टर प्रकार

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ICs

resistor

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>= 1000 नग

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