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      मूल शक्ति E13003 स्विचिंग D13003 आईसी Mosfet Mje13003 ट्रांजिस्टर 13003 mosfet ट्रांजिस्टर 13003 Mje13003

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      Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.कई विशेष चीज़ों वाला आपूर्तिकर्ता3 yrsCN
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      मुख्य विशेषताएं

      मुख्य उद्योग विनिर्देश

      मॉडल संख्या
      Mje13003

      प्रकार
      other

      ब्रांड नाम
      Original

      पैकेज प्रकार
      TO-126

      अधिक विशेषताएं

      उत्पत्ति के प्लेस
      Guangdong, China

      पैकेज/मामले
      TO-220AB

      डी/सी
      22+

      आवेदन
      PCB Board

      आपूर्तिकर्ता प्रकार
      ODM, मूल निर्माता

      मीडिया उपलब्ध
      Datasheet, फोटो

      品名
      Original

      वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
      50

      वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
      4

      Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
      0.6

      वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
      -

      डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
      22+

      शक्ति-मैक्स
      -

      आवृत्ति-संक्रमण
      -

      ऑपरेटिंग तापमान
      -45 to +125

      बढ़ते प्रकार
      छेद के माध्यम से

      रोकनेवाला-आधार (R1)
      1

      रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
      1

      FET के प्रकार
      N channel

      FET के फ़ीचर
      मानक

      नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
      75V

      वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
      130.0 A

      पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
      7.8 mOhms

      वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
      3.0 V 2.0 V 4.0 V

      गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
      160.0 nC

      इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
      1

      आवृत्ति
      1

      वर्तमान रेटिंग (Amps)
      130A

      शोर आंकड़ा
      1

      शक्ति-उत्पादन
      1

      वोल्टेज-रेटेड
      75V

      ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
      12

      वीजीएस (अधिकतम)
      13

      आईजीबीटी प्रकार
      1

      विन्यास
      एकल

      Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
      1

      इनपुट समाई (Cies) @ Vce
      1

      इनपुट
      1

      एनटीसी Thermistor
      417℃/W

      वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
      20

      वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
      1

      वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
      1

      वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
      1

      प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
      1

      वोल्टेज
      10

      वोल्टेज-उत्पादन
      10

      वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
      1

      करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
      1

      वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
      1

      वर्तमान-पीक
      1

      आवेदन
      other

      PN.
      mosfet transistor 13003

      पैकेजिंग और डिलीवरी

      सामान पैक करने का कार्य का विवरण
      मूल पैकिंग

      बंदरगाह
      HK/SZ

      आपूर्ति की क्षमता

      आपूर्ति की क्षमता
      20000 Piece/Pieces per Week

      अधिक दिखाएं

      लीड समय

      मात्रा (नग)1 - 10001001 - 3000 > 3000
      अनुमानित समय (दिन)35मोल-भाव किया जाएगा

      अनुकूलन

      New
      न्यून. ऑर्डर: 100
      कस्टमाइज़ेशन के अधिक विवरण के लिए, आपूर्तिकर्ता को संदेश भेजें
      10 - 99 नग
      $5.60
      100 - 999 नग
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      >= 1000 नग
      $0.89

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