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      BSS123N H6327 नई और मूल ट्रांजिस्टर Mosfet के एन-सीएच 100V 190mA पियक्कड़-23-3

      अभी तक कोई समीक्षा नहीं है1 ऑर्डर
      Shenzhen Han Disen Technology Co., Ltd.9 yrsCN
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      मुख्य विशेषताएं

      मुख्य उद्योग विनिर्देश

      मॉडल संख्या
      BSS123N H6327
      प्रकार
      MOSFET
      ब्रांड नाम
      In
      पैकेज प्रकार
      सतह माउंट

      अधिक विशेषताएं

      विवरण
      Transistors Mosfet N-Ch 100V 190mA
      उत्पत्ति के प्लेस
      United States
      डी/सी
      New
      आवेदन
      सामान्य प्रयोजन
      आपूर्तिकर्ता प्रकार
      Other
      मीडिया उपलब्ध
      Datasheet
      品名
      BSS123N H6327
      वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
      /
      वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
      /
      Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
      190mA
      वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
      /
      डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
      /
      शक्ति-मैक्स
      /
      आवृत्ति-संक्रमण
      /
      ऑपरेटिंग तापमान
      -55 to 150
      बढ़ते प्रकार
      सतह माउंट
      आवृत्ति
      /
      वर्तमान रेटिंग (Amps)
      /
      शोर आंकड़ा
      //
      शक्ति-उत्पादन
      /
      वोल्टेज-रेटेड
      /
      ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
      /
      वीजीएस (अधिकतम)
      /
      आईजीबीटी प्रकार
      /
      Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
      /
      इनपुट समाई (Cies) @ Vce
      /
      इनपुट
      /
      एनटीसी Thermistor
      /
      वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
      /
      वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
      /
      वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
      /
      वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
      /
      प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
      /
      वोल्टेज
      /
      वोल्टेज-उत्पादन
      /
      वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
      /
      करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
      /
      आवेदन
      //
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