IRF640 MOSFET N-CH 200 V 18A करने के लिए-220

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अवलोकन
त्वरित विवरण
पैकेज:
TO-220AB
मॉडल संख्या:
IRF640
ब्रांड नाम:
मूल ब्रांड
उत्पत्ति के प्लेस:
Germany
प्रकार:
ट्रांजिस्टर-FETs, MOSFETs-एकल
आपूर्ति की क्षमता
आपूर्ति की क्षमता:
10000 Piece/Pieces per Month
Packaging & Delivery
बंदरगाह
HongKong/ShenZhen
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उत्पाद विवरण
निर्माता भाग संख्या
IRF640
विवरण
MOSFET N-CH 200 V 18A करने के लिए-220
श्रृंखला
मेष ओवरले™
FET के प्रकार
एन-चैनल
प्रौद्योगिकी
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
200 V
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
18A (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
10 V
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
180 mOhm @ 9A, 10 V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
4 V @ 250 और माइक्रो; एक
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
72nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)
± 20 V
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
1560pF @ 25 V
FET के फ़ीचर
-
शक्ति का अपव्यय (अधिकतम)
125 W (टीसी)
ऑपरेटिंग तापमान
150 °C (टी जे)
बढ़ते प्रकार
छेद के माध्यम से
पैकेज/मामले
करने के लिए-220-3
पैकिंग और वितरण

पैकिंग विवरण: Antistatic बैग और मूल बॉक्स में बाहरी बॉक्स है।
डिलिवरी विवरण: आदेश की पुष्टि के बाद 3 दिनों के भीतर है।
हम समुद्र या हवा के द्वारा दुनिया भर में सभी शिपिंग कर सकते हैं और एक्सप्रेस डिलीवरी.
सीधे कृपया हमसे संपर्क करें और हम पसंद करते हैं जिस तरह से आप का उपयोग करेगा.

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